规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, PNP, -60 V, 250 MHz, 1.15 W, -600 mA, 100 hFE
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 60 V, 20 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 950 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 1 kV, 3 A, 单, 1.2 V, 200 A
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 100 V, 7 A, 双共阴极, TO-252AA, 3 引脚, 960 mV
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 60 V, 1 A, PowerDI 123, 2 引脚, 500 mV
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 40 A, TO-263AB, 3 引脚, 730 mV
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, SSxx系列, 单, 30 V, 1 A, DO-214AA, 2 引脚, 550 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 140 V, 150 MHz, 2 W, 2 A, 15000 hFE
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 30 V, 3200 μohm, 10 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 17 mohm, -10 V, -1.7 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, VSON-8
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
MOSFET, N CHANNEL, 200V, 0.6OHM, 4.5A, TO-252-3
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 400 hFE
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -4.9A, SOIC-8
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 100 MHz, 1 W, 1 A, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 12 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 单, 150 V, 3 A, 900 mV, 20 ns, 100 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, WDFN6
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
MULTICOMP
二极管, 超快恢复型, 300mA, 75V, SOT-23-3
(EN)
NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 3.9 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663
(EN)NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 10 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663
(EN)
