规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 20 A, SIP, 900 mV, 4 引脚
(EN)MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 15 A, SIP, 900 mV, 4 引脚
(EN)
VISHAY
超快速整流二极管阵列, 30A, 600V, TO247AD
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -28 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.047 ohm, -10 V, -2.6 V
(EN)
VISHAY
DIODE, SCHOTTKY, 30A, 100V, TO-263AB-2
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 1 kV, 4 A, 单, 1.15 V, 1.5 μs, 100 A
(EN)
MOSPEC
快速/超快二极管, 双共阳极, 200 V, 15 A, 975 mV, 35 ns, 300 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.9 V
(EN)VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 6 A, TO-252, 3 引脚, 470 mV
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 45A, 600V, ISOCINK+系列, PB
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 400 V, 4 A, 单, 1.15 V, 1.5 μs, 100 A
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, NexFET?, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 4.7 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663
(EN)VISHAY
快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 30 A, 950 mV, 35 ns, 300 A
(EN)
MULTICOMP
二极管, 标准恢复, 1A, 600V, DO-214AC-2
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, 100 V, 5 A, 单, DO-15, 2 引脚, 750 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 200 mW, SOD-323F, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 950 V, 0.275 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 33 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-363
(EN)WOLFSPEED
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 20 V, 2.6 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 1 A, SMD, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 115 MHz, 1.1 W, 4 A, 450 hFE
(EN)
