规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 200 mW, SOD-523F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 1.2 W, 100 mA, 40 hFE
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 150 V, 1 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 840 mV
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
WOLFSPEED
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7KV, 4.9A, TO-247-3
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, P沟道, 1.6 A, -30 V, 210 mohm, 10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 25 A, 模块, 1.11 V, 4 引脚
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.0161 ohm, -4.5 V, -1.2 V
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.15 V, 2.5 μs, 100 A
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 17 A, 30 V, 0.0055 ohm, 4.5 V, 1.2 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 3.9 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 200 V, 4 A, 单, 1.35 V, 60 ns, 150 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 42 V, 0.09 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 52 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)ROHM
快速/超快二极管, 100 V, 500 mA, 单, 980 mV, 25 ns, 6 A
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
Schottky Rectifier, High Voltage/Power, 100 V, 40 A, Dual Independent, ISOTOP, 4 Pins, 650 mV
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 1.9 A, 通孔安装, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 2 A, D-44, 1 V, 4 引脚
(EN)ROHM
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 100 mA, 20 V, 2.5 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 60 mA, 200 V, 25 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
