规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 4.1 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 150 V, 10 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 1.05 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 45 V, 10 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 700 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
桥式整流器
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 1 W, SOD-106, 2 引脚, 150 °C
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 30 V, 1 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 390 mV
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 60 V, 10 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 950 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1 kV, 5.4 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, VSIB系列, 单相, 400 V, 6 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, IGBT, 600V, 80A
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 15 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 16 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 60 A, 2.15 V, 308 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)ROHM
肖特基整流器, 40 V, 1 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 510 mV
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, IGBT, 单路, 600V, 55A, TO-247AC
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶闸管, 1600 V, 100 mA, 25 A, 54 A, SOT-227B, 4 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, 双极性, N 通道, 1.2KV, TO-247AD
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 200 MHz, 500 mW, 1 A, 120 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 6 V, 800 MHz, 200 mW, 50 mA, 180 hFE
(EN)
