规格：工作温度最高值 150°C,
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 30 V, 700 mohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 500 mW, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 14V, 500mW, SOD-123
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.1 A, 20 V, 0.06 ohm, 4.5 V, 1.2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -500 mA, 250 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 150 mW, 10 mA, 56 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 3.2A, SOT-23
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
Dual MOSFET, N and P Complement, 220 mA, 20 V, 0.75 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 30 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 30 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
二极管 小信号, 双系列, 85 V, 160 mA, 1.25 V, 3 μs, 4 A
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 250 mohm, 4 V, 800 mV
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 22 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
小信号肖特基二极管, 双系列, 25 V, 100 mA, 950 mV, 500 mA, 150 °C
(EN)STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阳极, 100 V, 150 mA, 1 V, 1 A, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 150 MHz, 540 mW, 2 A, 200 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 5.6 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)ON SEMICONDUCTOR
小信号二极管
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.6 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 200 V, 1 A, 单, 950 mV, 35 ns, 30 A
(EN)
