规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, SOT-23, 整卷
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 700 mW, 500 mA, 200 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -400 V, 55 MHz, 300 mW, -250 mA, 200 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -400 V, 55 MHz, 700 mW, -250 mA, 200 hFE
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 370 mW, 1 A, 300 hFE, SOT-457
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 300 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 350 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 1.35 W, -3 A, 200 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 500 V, 35 MHz, 300 mW, 150 mA, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 1.2 W, 100 mA, 40 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管, 2A, DO-214AA , 整卷
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 40 V, 0.042 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -20 V, 0.083 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0156 ohm, 10 V, 2.8 V
(EN)
VISHAY
场效应管, N通道, MOSFET, 60V, 20A, POWERPAK SO
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, 35A, 整卷
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00165 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
整流器, 肖特基, 5A 30V DO-214AB, 整卷
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 200 mW, 100 mA, 10000 hFE
(EN)
VISHAY
肖特基整流二极管, 共阴极, 12A, D-PAK
(EN)
VISHAY
标准二极管, 1A, 400V, DO-214AC
(EN)
