规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 130 MHz, 700 mW, -5.3 A, 400 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 600 mW, -4 A, 45 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 150 MHz, 390 mW, -2.7 A, 300 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 400 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 130 MHz, 1.35 W, 5 A, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 18 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
肖特基二极管
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 430 mA, 8 V, 0.5 ohm, 4.5 V, 4.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 530 mA, 20 V, 0.35 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -30 V, 0.0021 ohm, -10 V, -2.3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 25 A, 30 V, 0.0076 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.0076 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 60 V, 1 A, DO-214AC, 2 引脚, 510 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -45 A, -30 V, 0.0072 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
肖特基整流二极管, 6A x2
(EN)
NTE ELECTRONICS
小信号双极性晶体管
(EN)
VISHAY
肖特基二极管, 1A, 50V, MICROSMP-2
(EN)
VISHAY
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 1 A, 380 mV, 40 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 1.1 A, 530 mV, 150 A, 150 °C
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 50 V, 1 A, 1.1 V, 30 A
(EN)
