规格：工作温度最高值 150°C,
ROHM
标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 30 A
(EN)
ROHM
二极管 小信号, 高速开关, 90 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 225 mA
(EN)
ROHM
二极管 小信号, 开关, 单, 40 V, 100 mA, 1.2 V, 400 mA
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 260 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 270 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 240 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 2A, 200V, D-44-4
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 2A, 800V, D-44-4
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, 2件, N沟道, 150 A, 2.6 V, 780 W, 1.2 kV, Module
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 2.35 V, 500 W, 600 V, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.85 V, 1.07 kW, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.75 V, 1.5 kW, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 400 A, 2.05 V, 2.045 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
NTE ELECTRONICS
晶体管, NPN, 25V, 500MA, TO-92
(EN)
