规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 50 V, 6 A, 950 mV, 250 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 1 kV, 6 A, 1.16 V, 250 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 1 kV, 6 A, 580 mV, 250 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 单, 200 V, 6 A, 950 mV, 250 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 单, 400 V, 6 A, 950 mV, 250 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 800 V, 6 A, 520 mV, 250 A
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.6 V, 215 W, 600 V, Module
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 170 W, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, 7件, N沟道, 35 A, 2.1 V, 240 W, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module
(EN)FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module
(EN)
MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 1A, 50, ABS
(EN)MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 1A, 100, ABS
(EN)MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 1A, 400, ABS
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 160 V
(EN)
SEMELAB
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 160 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -160 V
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 160 V
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 200 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, 音频, N沟道, 16 A, 200 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, 音频, P沟道, -16 A, -160 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -160 V
(EN)SEMELAB
晶体管, MOSFET, 音频, P沟道, -16 A, -200 V
(EN)
