规格：工作温度最高值 150°C,
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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -700 mV
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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V
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双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.029 ohm, 10 V, 1 V
(EN)INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.029 ohm, 10 V, 1 V
(EN)INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.4 A, -55 V, 0.105 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
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晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 0.02 ohm, -10 V, -1 V
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INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -100 V, 0.205 ohm, -10 V, -2 V
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晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -55 V, 0.11 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
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单晶体管, IGBT, 60 A, 600 V, 308 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
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DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 12 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
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单管二极管 齐纳, 排列, 16 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
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单管二极管 齐纳, 排列, 3 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 3.3 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 4.7 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 4.7 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 5.1 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 5.6 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 40 V, 0.5 A, SOD-123, 2 引脚, 620 mV
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DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 100 V, 1 A, SMD, 2 引脚, 790 mV
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肖特基整流器, 单, 20 V, 1 A, SMD, 2 引脚, 500 mV
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肖特基整流器, 30 V, 1 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 500 mV
(EN)DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 40 V, 1 A, DO-214AC, 2 引脚, 500 mV
(EN)
DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 40 V, 1 A, SMD, 2 引脚, 700 mV
(EN)DIODES INC.
肖特基整流器, 单, 60 V, 1 A, DO-214AC, 2 引脚, 700 mV
(EN)
