规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 55 V, 137 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 55 V, 137 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 100 V, 173 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 100 V, 173 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.7 A, 55 V, 40 mohm, 5 V, 1.5 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 70 W, 4 A, 12 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
射频双极晶体管
(EN)STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 7 A, 15 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 450 V, 125 W, 15 A, 10 hFE
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 13.5 A, 200 V, 0.16 ohm, 5 V, 1.6 V
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 200 V, 1.5 ohm, 1.5 V
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 200 V, 3 A, 1 V, 150 A
(EN)MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 400 V, 3 A, 1 V, 150 A
(EN)
WEEN SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 超快, 单, 600 V, 10 A, 2.5 V, 30 ns, 71 A
(EN)
WEEN SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 3.2 V, 12.5 ns, 120 A
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, 雪崩, 单, 200 V, 1.5 A, 1.15 V, 4 μs, 30 A
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, 单, 400 V, 1.5 A, 1.15 V, 4 μs, 30 A
(EN)VISHAY
标准功率二极管, 单, 1 kV, 1.5 A, 1.15 V, 4 μs, 30 A
(EN)VISHAY
快速/超快二极管, 单, 200 V, 1.5 A, 1.4 V, 75 ns, 30 A
(EN)VISHAY
快速/超快二极管, 单, 400 V, 1.5 A, 1.4 V, 75 ns, 30 A
(EN)VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 1.5 A, 1.4 V, 75 ns, 30 A
(EN)VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 1.5 A, 1.4 V, 75 ns, 30 A
(EN)VISHAY
标准功率二极管, 单, 1 kV, 1.5 A, 1.6 V, 120 ns, 30 A
(EN)VISHAY
快速/超快二极管, 单, 200 V, 2 A, 1.1 V, 25 ns, 35 A
(EN)VISHAY
快速/超快二极管, 单, 200 V, 2 A, 1.1 V, 25 ns, 35 A
(EN)
