规格：工作温度最高值 150°C,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 4.2 A, -20 V, 45 mohm, -4.5 V, -500 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0043 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 16.1 A, -30 V, 25 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.8 A, -30 V, 56 mohm, -10 V, -1.8 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.5 A, -30 V, 59 mohm, -10 V, -600 mV
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 500 V, 7 ohm, 0 V
(EN)
MICROCHIP
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 0.35A, TO-252AA-3
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 300 V, 12 ohm, 0 V
(EN)MICROCHIP
场效应管, MOSFET, N沟道, 350V, 0.135A, TO-243AA-3
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 350 V, 50 MHz, 300 mW, 500 mA, 30 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 800 V, 48 A, 1.25 V, 475 A
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 2 A, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 330 hFE
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 25 V, 25 A, TO-220AC, 2 引脚, 520 mV
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 500 mA, 220 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 100 MHz, 600 mW, 100 mA, 300 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, POWERDI?5, NPN, 60 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 200 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, POWERDI?5, NPN, 100 V, 130 MHz, 3.2 W, 6 A, 230 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, POWERDI?5, PNP, -140 V, 120 MHz, 3.2 W, -4 A, 225 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 25 V, 220 MHz, 1 W, 5 A, 250 hFE
(EN)
