规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.00122 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
NEXPERIA
二极管, 肖特基, 2A, 30V, SOD-123W-2
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
小信号二极管
(EN)
NXP
BJT ARRAY, NPN & PNP, 45V, 500MA, 6-SOT-457
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -4.6 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 1A, 600, ABS系列
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阳极, 30 V, 300 mA, 900 mV, 1 A, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 120 V, 0.0166 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, 60 V, 3 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 700 mV
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963
(EN)
NXP
晶体管, 射频FET, 7 V, 30 mA, 200 mW, 40 MHz, 3 GHz, SOT-143B
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
齐纳二极管, 3W, 18V, DO-214AC
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 10 V, 300 mW, SOD-523, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 250 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -30 V, 0.1 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 40 V, 4.9 mohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双共阴极, 250 V, 400 mA, 1.25 V, 150 ns, 9 A
(EN)NXP
晶体管, JFET, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 通用, NPN, 45 V, 200 mW, 100 mA, 180 hFE, SOT-323
(EN)
