规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -100 V, 820 mohm, -10 V, -4 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -100 V, 820 mohm, -10 V, -4 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 200 V, 1 A, 1.3 V, 150 ns, 30 A
(EN)MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.2 V, 250 ns, 30 A
(EN)MULTICOMP
标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.3 V, 250 ns, 30 A
(EN)MULTICOMP
标准功率二极管, 单, 1 kV, 2 A, 1.3 V, 500 ns, 55 A
(EN)MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 100 V, 3 A, 1.3 V, 150 ns, 125 A
(EN)MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.2 V, 250 ns, 150 A
(EN)MULTICOMP
标准功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1.3 V, 500 ns, 125 A
(EN)MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 100 V, 6 A, 1.3 V, 150 ns, 250 A
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 175 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 680 W, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.75 V, 1 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 20 A, 1.55 V, 135 W, 600 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 低功率, N沟道, 30 A, 1.55 V, 150 W, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 75 MHz, 500 mW, -2 A, 40 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
肖特基整流器, 45 V, 10 A, 单, TO-277A, 3 引脚, 440 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
肖特基整流器, 单, 60 V, 10 A, TO-277A, 3 引脚, 520 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 450 V, 9.3 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 180 MHz, 2.5 W, 5 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 75 V, 140 MHz, 2.5 W, 4.5 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 25 V, 135 MHz, 2.5 W, 4 A, 450 hFE
(EN)
