规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 20 V, 13.4 mohm, 10 V, 2.55 V
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 11A, TO-204AA
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 19 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0039 ohm, -10 V, -1.8 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0039 ohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
INFINEON
场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -20A, SOIC, 整卷
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -30 V, 0.0054 ohm, -10 V, -1.8 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -30 V, 0.0054 ohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -15A, SOIC
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 0.0136Ω, -9.8A, SOIC-8
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.4 A, -30 V, 0.048 ohm, -10 V, -1.8 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 17 mohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, 20W, D2-PAK
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1 V
(EN)INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 500 V, 1.75 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 3.6ATO-262
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, HEXDIP
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 3.5A, TO-205AF
(EN)
