规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 25 V, 20 mohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 400 mohm, 10 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -100 V, 0.205 ohm, -10 V, -4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -55 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 170W, D2-PAK
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 600V, 23A
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 23 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT, TO-220AB, 11A, 1200V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 28 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 600V, TO-247AC
