规格：工作温度最高值 150°C,
IXYS SEMICONDUCTOR
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 75 A, 1.8 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 隔离, 56 A, 2.7 V, 170 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 隔离, 68 A, 2.2 V, 200 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, LINEAR L2?, N沟道, 30 A, 600 V, 240 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, LINEAR L2?, N沟道, 60 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 2.9 ohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, LINEAR L2?, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, LINEAR L2?, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管, 单相, Vrrm 100V, 4A
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 15 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 6 A, 模块, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 4 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 8A, 400V 通孔安装
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 15 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 20 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 30 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 36 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 10.31 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 13.82 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 19 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
