规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
快速/超快二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.3 V, 250 ns, 100 A
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.3 V, 250 ns, 100 A
(EN)MULTICOMP
标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.3 V, 500 ns, 100 A
(EN)MULTICOMP
标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.3 V, 500 ns, 100 A
(EN)MULTICOMP
标准功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1.3 V, 500 ns, 100 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 1 kV, 3 A, 单, 1.3 V, 500 ns, 100 A
(EN)
DIODES INC.
标准功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1.3 V, 500 ns, 100 A
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 16 V, 200 mW, SOD-323, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 双向, 5.6 V, 10 W, SOD-523, 150 °C
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -45 V, 0.33 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 玻璃钝化, 单, 100 V, 500 mA, 1.3 V, 150 ns, 10 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 600 V, 500 mA, 1.3 V, 250 ns, 10 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 800 V, 500 mA, 1.3 V, 500 ns, 10 A
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.5 A, -30 V, 235 mohm, -10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.06 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 9 A, 30 V, 11 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 1 A, 390 mV, 45 A, 150 °C
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 79 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 2 A, 45 V, 250 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 2 A, 45 V, 250 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 45 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, 低电压, P沟道, 3.2 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -2 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
