规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 小信号, 双共阴极, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 2 A
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 24 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
二极管, 标准恢复, 2A, 1KV, DO-214AA-2
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 600 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 800 V, 6 A, 单, 1.35 V, 400 A
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 1W, 30V, DO-41
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 160 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, KBP系列, 单相, 800 V, 2 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 300 mW, SOD-523, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, JFET, 30V, -60mA, TO-92-3
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -20 V, 0.065 ohm, 10 V, -1.5 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, NPN, 100 V, 40 MHz, 15 W, 4 A, 40 hFE
(EN)
VISHAY
桥式整流二极管
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 520 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.0144 ohm, 10 V, 3.7 V
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 40 V, 1 A, SOD-323F, 2 引脚, 570 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管
(EN)
