规格：工作温度最高值 150°C,
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 1.16 A, 560 mV, 22 A, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 1.16 A, 640 mV, 36 A, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 520 mA, 610 mV, 12 A, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 10 V, 750 mA, 580 mV, 17 A, 150 °C
(EN)DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 700 mA, 1 V, 13 A, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 215 MHz, 385 mW, 1 A, 450 hFE
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 140 mA, 450 V, 50 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 60 mA, 200 V, 25 ohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 240 V, 6 ohm, 10 V, 1.3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -35 mA, -200 V, 80 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 75 mA, -100 V, 20 ohm, -10 V, -3.5 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 170 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -2 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 170 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -800 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 480 mA, -240 V, 11 ohm, -10 V, -1.4 V
(EN)
