品牌：VISHAY,规格：工作温度最高值 175°C,
VISHAY
标准恢复二极管, 400 V, 80 A, 单, 1.3 V, 87 ns, 800 A
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, TVS AEC-Q101, 1.8 V, 700 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, AEC-Q101, 单, 600 V, 2 A, 1 V, 4 μs, 50 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 单, 1 kV, 1.5 A, 950 mV, 30 A
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, 单, 400 V, 1 A, 1.1 V, 30 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.003 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 90 A, -60 V, 0.0074 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, AEC-Q101, 单, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 15 A, 1.8 V, 18 ns, 170 A
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 5 A, 1.85 V, 25 ns, 70 A
(EN)VISHAY
标准功率二极管, 单, 600 V, 15 A, 1.05 V, 190 ns, 250 A
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 4 A, 950 mV, 25 ns, 90 A
(EN)VISHAY
快速/超快二极管, 200 V, 150 A, 单, 1.13 V, 34 ns, 1.6 kA
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 77 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -60 V, 0.23 ohm, -10 V, -2 V
(EN)VISHAY
快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 60 A, 1.1 V, 30 ns, 300 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0076 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
