规格：工作温度最高值 175°C,
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 60 A, 双共阴极, TO-220, 3 引脚, 980 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.058 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
SOLID STATE
桥式整流器, 35A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 100 V, 1 A, DO-41, 2 引脚, 790 mV
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 超快, 单, 600 V, 15 A, 3.4 V, 30 ns, 120 A
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双PNP, -100 V, 1.25 W, -3 A, 10 hFE, SOT-1205
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 单, 45 V, 15 A, TO-220FP, 2 引脚, 570 mV
(EN)STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 10 A, TO-220FPAB, 3 引脚, 770 mV
(EN)STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 45 V, 15 A, TO-220AB, 3 引脚, 570 mV
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 96 A, 2.14 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.3 V
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 2.4 V, 22 ns, 90 A
(EN)STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 400 V, 125 W, 15 A, 300 hFE
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 3 V
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 300 V, 29 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
超快速功率整流器
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 170 V, 30 A, TO-220AB, 3 引脚, 940 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 12 A, 590 mV, 50 ns, 100 A
(EN)STMICROELECTRONICS
快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 30 A, 1.4 V, 25 ns, 140 A
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT, 单路, 1.55V, 32A, TO-247AD
(EN)ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 200 V, 20 A, 单, 1.1 V, 75 ns, 250 A
(EN)
