规格：工作温度最高值 175°C,
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 60 V, 10 A, 680 mV, 100 A, 175 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
快速/超快二极管, 双共阴极, 600 V, 15 A, 2.9 V, 50 ns, 120 A
(EN)
VISHAY
超快速功率整流器
(EN)
SOLID STATE
齐纳二极管, Vz: 24V
(EN)
IXYS RF
晶体管, 射频FET, 200 V, 25 A, 590 W, 100 MHz, DE-275
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 外延二极管(FRED), 单, 300 V, 10 A, 980 mV, 35 ns, 100 A
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 172A, TO-247AC-3
(EN)
STMICROELECTRONICS
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 30 A, 1.85 V, 70 ns, 160 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, DPAK-3
(EN)SOLID STATE
齐纳二极管, Vz: 30V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 800 V, 8 A, 双系列, 1.35 V, 110 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 42A, D-PAKS
IXYS RF
晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375
(EN)ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 45 V, 10 A, 单, TO-263, 3 引脚, 840 mV
(EN)
VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 110A, TO-263-3
(EN)SOLID STATE
齐纳二极管, Vz: 13V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 600 V, 17 A, ISOPLUS-247, 2 引脚, 3.32 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
标准恢复二极管, 双共阴极, 600 V, 60 A, 2 V, 280 A
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 47 A, 1.65 V, 192 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
DIODES INC.
标准恢复二极管, 单, 600 V, 6 A, 3 V, 35 ns, 60 A
(EN)
