规格：工作温度最高值 175°C,
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 3 A, 单, DO-201AD, 2 引脚, 790 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 单, 400 V, 2 A, 1.3 V, 65 ns, 35 A
(EN)
ROHM
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, 18 V, 5.6 V
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 150 V, 15 A, TO-247, 3 引脚, 920 mV
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速恢复 二极管, 2A, 100V, 403A, 整卷
(EN)
VISHAY
标准二极管, 1A, 50V, DO-204AL
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, MicroMELF, 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, MicroMELF, 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, MicroMELF, 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 300 V, 49 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 82 mohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 8 ns, 2 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 30 A, 2.1 V, 278 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
NTE ELECTRONICS
芯片, 高速开关, MOSFET, N沟道, 20A, TO220-3
(EN)
