规格：工作温度最高值 175°C,
VISHAY
肖特基整流二极管, 1A, 100V, DO-214AC
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 500MW, 5.1V, DO-35, 整卷
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管, 1A, DO-214AC, 整卷
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 11A, TO-263, 整卷
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, MiniMELF, 单, 200 V, 250 mA, 1 V, 50 ns, 1 A
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, QuadroMELF, 单, 250 V, 250 mA, 1 V, 50 ns, 1 A
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 24 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -30 V, 50 mohm, -10 V, -1.7 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 47 A, -60 V, 26 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)VISHAY
二极管 小信号, QuadroMELF, 单, 50 V, 300 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 18.5A, D2-PAK
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK, 整卷
(EN)ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 12A, D-PAK
(EN)ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, TO-252, 整卷
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 45 A
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
