规格：工作温度最高值 175°C,
VISHAY
开关二极管, 100V, 150mA, DO-35
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 1.3W, 11V, DO-41, 整卷
(EN)
VISHAY
场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-263
(EN)VISHAY
齐纳二极管, 500mW, 12.7V, DO-35
(EN)
VISHAY
肖特基整流二极管, 共阴极, 80A, TO-247AC
(EN)
NEXPERIA
小信号二极管, 整卷
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
GENESIC SEMICONDUCTOR
碳化硅结晶体管, 1.2KV, 10A, TO-247AB
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, Vz: 51V
(EN)VISHAY
齐纳二极管, 11V, 1.3W
(EN)VISHAY
齐纳二极管, VZ:36V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 1 W, MELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
齐纳二极管, 500mW, 11V, DO-35
(EN)VISHAY
齐纳二极管, 500mW, 4.3V, DO-35
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
小信号二极管, 150V 200mA DO-35
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 55 A, 40 V, 0.0055 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 112 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
BOURNS
DIODE, BRIDGE RECT, 600V, 1A, SMD
(EN)VISHAY
齐纳二极管, 1.3W, 5.6V, DO-41
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 108 A, 40 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 30 V, 0.045 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 6.9 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 35A TO-252AA
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
小信号二极管, 200mA, Vrrm 70V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器
(EN)
