规格：工作温度最高值 175°C,
STMICROELECTRONICS
快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 55 A
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 56 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 200 V, 165 mohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, IGBT, 600V, 96A
(EN)
NXP
射频晶体管, NPN
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT, 1.65V, 36A
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, N通道, 140 A, 1.7 V, 454 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 600 mV
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 40 A, D-61, 3 引脚, 810 mV
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 12 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 175 °C
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N沟道, 车用, 100V, 42A, TO-251AA
(EN)
LITTELFUSE
单管二极管 齐纳, 5 W, 轴向引线, 2 引脚, 175 °C
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 24 A, 1.55 V, 140 W, 600 V, TO-263, 2 引脚
(EN)
SOLID STATE
齐纳二极管, Vz: 51V
(EN)STMICROELECTRONICS
快速/超快二极管, 双共阴极, 400 V, 100 A, 1.75 V, 50 ns, 350 A
(EN)NXP
功率晶体管, UHF, NPN, 9.5V, 500mA, SOT223
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 150 V, 54 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 75 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3.7 V
(EN)
NTE ELECTRONICS
齐纳二极管, 82V, 50W
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速二极管, 15A, 150V, TO-220AC
(EN)
