规格：工作温度最高值 175°C,
NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
超快二极管, 3A, 600V, 403A, 整卷
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 1 kV, 1 A, 单, 550 mV, 30 A
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 500mW, 3.3V, DO-35, 整卷
(EN)
STMICROELECTRONICS
快速/超快二极管, 1.2 kV, 15 A, 单, 1.2 V, 53 ns, 150 A
(EN)
VISHAY
标准二极管, 1A, 100V, DO-214BA, 整卷
(EN)
VISHAY
开关二极管, 0.5A, 2KV DO-204AL, 整卷
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module
(EN)SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 8 ns, 2 A
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 100 V, 1 A, 单, 875 mV, 30 ns, 50 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 3A, SOT-223
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
SOLID STATE
单管二极管 齐纳, 200 V, 10 W, DO-4, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.2 V, 30 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 300 V, 1 A, 单, 1.18 V, 30 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 600 V, 2 A, 单, 1.25 V, 75 ns, 35 A
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 400 V, 4 A, 单, 1.28 V, 75 ns, 100 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 80 V, 0.0225 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 20 A, TO-263, 3 引脚, 950 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 90 V, 1 A, 单, DO-214AA, 2 引脚, 750 mV
(EN)
