规格：工作温度最高值 175°C,
VISHAY
标准功率二极管, 单, 600 V, 1.5 A, 1.05 V, 900 ns, 30 A
(EN)VISHAY
标准功率二极管, 单, 600 V, 1.5 A, 1.05 V, 900 ns, 30 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8.5A, SOIC-8, 整卷
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 20 V, 2.4 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.033 mohm, 10 V, 2.4 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.4 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT模块, 60A, 600V, T-98
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 22 A, 3 V, 145 W, 1.2 kV, SEMITRANS 6
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT模块, 400A, 600V, SEMITRANS5
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 525 mV, 25 A
(EN)
VISHAY
标准恢复二极管, TVS AEC-Q101, 1.8 V, 700 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -60 V, 0.2 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.069 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.034 ohm, -4.5 V, -450 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.6 A, -40 V, 0.061 ohm, -10 V, -2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 60 V, 0.058 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
