规格：工作温度最高值 175°C,
STMICROELECTRONICS
快速/超快二极管, 单, 1.2 kV, 5 A, 1.25 V, 48 ns, 55 A
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 18.5A, D2-PAK
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流二极管, 20A, 100V D2PAK
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 75 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
快速/超快二极管, AEC-Q101, 150 V, 3.5 A, 单, 1.1 V, 30 ns, 90 A
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 45 V, 10 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 570 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -55 V, 0.1 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 170 V, 60 A, 1.02 V, 210 A, 175 °C
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 40 V, 6.6 mohm, 10 V, 3 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 8 A, 975 mV, 35 ns, 100 A
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 单, 800 V, 1 A, 1.1 V, 3 μs, 30 A
(EN)
VISHAY
标准二极管, 3A, 200V, DO-201AD
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 单, 100 V, 1 A, 875 mV, 75 ns, 35 A
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, TrenchMOS, N沟道, 84 A, 80 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 24 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 12.3 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -61 A, -60 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1.5 V
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 1N47系列, 9.1 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 100 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
