规格：工作温度最小值 -40°C,
INFINEON
芯片, MOSFET驱动器, 高压侧, SOIC-8
(EN)
INFINEON
驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, SOIC-14
(EN)
INFINEON
门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
(EN)
INFINEON
芯片, MOSFET驱动器, 半桥, DIP-8
(EN)
INFINEON
功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-28
(EN)
INFINEON
芯片, IGBT/MOSFET驱动器, 530NS, MLPQ-28
(EN)
INFINEON
芯片, IGBT/MOSFET驱动器, 530NS, SOIC-20
(EN)
INFINEON
芯片, 直流/直流转换器, 同步降压, 1.5MHZ, PQFN-33
(EN)
INFINEON
芯片, IGBT/MOSFET驱动器, 750NS, SOIC-8
(EN)INFINEON
芯片, IGBT/MOSFET驱动器, 750NS, SOIC-8
(EN)INFINEON
芯片, 高/低压侧驱动器, SOIC-8
(EN)INFINEON
半桥驱动器, 自振荡, 12V至18V, 1路输出, 500kHz, SOIC-8
(EN)
INFINEON
共振半桥转换器 控制芯片
(EN)INFINEON
直流/直流控制器, 自振荡, 12V至18V, 1路输出, 500kHz, SOIC-8
(EN)INFINEON
芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 低压侧, DIP-8
(EN)
INFINEON
二极管, 碳化硅, 肖特基, 1.2KV
(EN)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
存储芯片, SDRAM, IND, 32M X 16, 3V, 54TSOP2
(EN)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
芯片, 存储器, SDRAM, 256MB, 143MHZ, TFBGA-90
(EN)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
芯片, 存储器, SRAM, 16MB, 10NS, 48BGA
(EN)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
芯片, 存储器, SRAM, 16MB, 10NS, 44TSOPII
(EN)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 45NS, TSOP-28
(EN)INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 55NS, 44TSOPII
(EN)
INTERSIL
芯片, 实时时钟, 低功率, 8字节 SRAM
(EN)
