品牌：DIODES INC.,规格：功耗 Pd 250mW,
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 280 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 250 mW, DFN1006, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 250 mW, DFN1006, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 250 mW, DFN1006, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 增强模式, N和P沟道, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 500 mV
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -400 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -500 mV
(EN)
