品牌：DIODES INC.,规格：功耗 Pd 300mW,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -800 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 260 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 270 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 12 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 排列, 16 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 排列, 3 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 3.3 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 4.7 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 4.7 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 5.1 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)DIODES INC.
二极管阵列 齐纳, 双路, 5.6 V, 双共阳极, 300 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-23
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 180 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 600 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 600 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -65 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 200 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -65 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 200 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -65 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 330 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 330 hFE
(EN)
