TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 18 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 150 °C

ROHM

单管二极管 齐纳, 30 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C

ROHM

单管二极管 齐纳, 22 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C

ROHM

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V

ROHM

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.5 V

ROHM

晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 20 V, 0.031 ohm, 4.5 V, 1 V

ROHM

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.3 A, -12 V, 0.19 ohm, -4.5 V, -1 V

ROHM

晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1.3 V

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 27 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 150 °C

ROHM

单管二极管 齐纳, 高静电防护, 25.31 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 27 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

ROHM

单晶体管 双极, PNP, 32 V, 100 MHz, 1 W, 2 A, 82 hFE

NXP

射频晶体管, NPN

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 150 °C

ROHM

单管二极管 齐纳, 高静电防护, 28.7 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C

NTE ELECTRONICS

齐纳二极管

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

单管二极管 齐纳, 3.6 V, 1 W, SOD-123F, 5 %, 2 引脚, 85 °C

ROHM

单管二极管 齐纳, 高静电防护, 11.51 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 9.1 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

MULTICOMP

单管二极管 齐纳, 75 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

NEXPERIA

齐纳二极管, 5.1V, DO-41, 整卷

BROADCOM LIMITED

晶体管, 射频FET, 高线性度, 7 V, 300 mA, 1 W, 50 MHz, 6 GHz, SOT-89

NEXPERIA

齐纳二极管, 18V, DO-41, 整卷

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 47 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚