
ROHM
晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V

VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V

VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -20 V, 0.092 ohm, -4.5 V, -600 mV

VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.092 ohm, -4.5 V, -1.5 V

DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C