规格：功耗 Pd 350mW,
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 20 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.21 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 0.43 ohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.21 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 0.43 ohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -385 mA, -30 V, 1.25 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 350 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 高增益, NPN, 12 V, 260 MHz, 350 mW, 5 A, 800 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 高增益, NPN, 40 V, 190 MHz, 350 mW, 4 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 150 MHz, 350 mW, 1 A, 300 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 高增益, PNP, 20 V, 290 MHz, 350 mW, 4 A, 450 hFE
(EN)
DIODES INC.
静电保护装置, 单向, 16 V, SOD-323, 2 引脚, 350 mW
(EN)
