VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V

NXP

双极性晶体管, 中等功率, PNP, -80V, -1A, 4SOT223

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 62 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C

VISHAY

单管二极管 齐纳, 2.7 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 %, 2 引脚, 175 °C

VISHAY

齐纳二极管, 1.3W, 47V, DO-41

NEXPERIA

双极晶体管阵列, 双NPN, 30 V, 1.3 W, 500 mA, 4000 hFE, SOT-89

VISHAY

齐纳二极管, Vz:3.9V

VISHAY

齐纳二极管, 1.3W, 47V, DO-41

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 5.6 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C

NEXPERIA

单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 2000 hFE

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -3.6 A, SOT-23

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V

NEXPERIA

单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.3 W, -1 A, 100 hFE

VISHAY

单管二极管 齐纳, 43 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C

VISHAY

齐纳二极管, 5.1V

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206

NEXPERIA

单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 220 MHz, 1.3 W, 500 mA, 10000 hFE

DIODES INC.

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V

VISHAY

单管二极管 齐纳, 39 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C

NEXPERIA

单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 2000 hFE

VISHAY

场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道, 30V, SOIC

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 33 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C