品牌：DIODES INC.,规格：功耗 Pd 600mW,
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双P沟道, -2 A, -20 V, 0.15 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 2 A, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 100 MHz, 600 mW, 100 mA, 300 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 330 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 500 mA, 220 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 30 V, 0.1 ohm, 4.5 V, 500 mV
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 1 A, 100 hFE
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单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 2 A, 250 hFE
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单晶体管 双极, NPN, 20 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 330 hFE
(EN)
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 250 hFE
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 600 mW, 100 mA, 250 hFE
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单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 500 mA, 220 hFE
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单晶体管 双极, PNP, 40 V, 100 MHz, 600 mW, 100 mA, 300 hFE
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