规格：功耗 Pd 500mW,
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
(EN)
NXP
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.108 ohm, 4.5 V, 950 mV
(EN)INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 互补晶体管, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.108 ohm, 4.5 V, 950 mV
(EN)INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 互补晶体管, N和P沟道, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -620 mA, -60 V, 0.62 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -50 V, 4.5 ohm, -10 V, -1.6 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, MicroMELF, 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 5.1 V, 500 mW, MicroMELF, 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, MicroMELF, 2 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 16 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 30 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 30 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 33 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
