规格：功耗 Pd 750mW,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 33 mohm, 4.5 V, 950 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -40 V, 0.065 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1.3 ohm, -10 V, -4.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -380 mA, -200 V, 1.96 ohm, -6 V, -4.5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 490mA, TO-236
(EN)
