规格：功耗 Pd 800mW,
RENESAS
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 60 V, 0.082 ohm, 10 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -300 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 100 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 15 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 75 MHz, 800 mW, -2 A, 40 hFE
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 16 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 175 °C
(EN)
MULTICOMP
双极晶体管
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 800 mW, -1 A, 40 hFE
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 43 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 27 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.09 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)NTE ELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 400 MHz, 800 mW, 1 A, 300 hFE
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 98 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 130 mohm, 4.5 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 39 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C
(EN)RENESAS
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.173 ohm, 4.5 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 24 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 800 mW, 800 mA, 20 hFE
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 33 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 2.3W, 6.8V, DO-219AB
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 150 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
齐纳二极管, Vz:82V
(EN)
NTE ELECTRONICS
收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 800 mW, 1 A, 40 hFE
(EN)
NTE ELECTRONICS
小信号双极性晶体管
(EN)
