规格：集电极发射电压, Vceo 50V,
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 250 mW, 200 mA, 210 hFE
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
(EN)
ROHM
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
(EN)
STMICROELECTRONICS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 300 MHz, 250 mW, 150 mA, 200 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)
STMICROELECTRONICS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 215 MHz, 385 mW, 1 A, 450 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, 带电阻, 50V, 10K/10KΩ, SOT-363
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE
(EN)
