规格：集电极发射电压, Vceo 50V,
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
(EN)
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.04 电阻比率
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
晶体管阵列
(EN)ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V TSSOP
(EN)
STMICROELECTRONICS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
(EN)
STMICROELECTRONICS
双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 90 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 150 MHz, 500 mW, 3 A, 140 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 50 V, 80 MHz, 200 mW, 150 mA, 120 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 380 MHz, 3.5 W, 3 A, 200 hFE
(EN)
NXP
TRANSISTOR, DUAL NPN, 50V, 2.7A, SOIC
(EN)STMICROELECTRONICS
双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
(EN)
