规格：晶体管封装类型 SOT-323,
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 260 mA, 60 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.63 A, 30 V, 0.077 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 30 V, 0.067 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 600 mA, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 600 mA, 35 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, PNP, -60 V, 200 MHz, 200 mW, -600 mA, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, PNP, -60 V, 200 MHz, 200 mW, -600 mA, 100 hFE
(EN)
NXP
开关晶体管, PNP, -60V, -600MA
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, PNP, -40 V, 200 MHz, 200 mW, -600 mA, 100 hFE
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -900 mA, -8 V, 0.28 ohm, -4.5 V, -400 mV
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -20 V, 0.065 ohm, 10 V, -1.5 V
(EN)VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.3 A, 30 V, 0.185 ohm, 4.5 V, 1.6 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 4.1 ohm, 4.5 V, 1.4 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 215 MHz, 385 mW, 1 A, 450 hFE
(EN)
