规格：晶体管封装类型 SOT-223,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双极性晶体管, NPN, 80V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 25 V, 100 MHz, 2 W, 3 A, 300 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 480 mA, -240 V, 11 ohm, -10 V, -1.4 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 25 V, 135 MHz, 2.5 W, 4 A, 450 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 1 W, 800 mA, 1000 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 105 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 15 V, 100 MHz, 2 W, -3 A, 500 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 180 MHz, 2.5 W, 5 A, 450 hFE
(EN)
NXP
场效应管, P沟道, DMOS FET, -300V, -210mA, 3-SOT-223
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 140 MHz, 625 mW, 1 A, 160 hFE
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 400 V, 50 MHz, 2 W, 200 mA, 100 hFE
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -60 V, 0.145 ohm, -10 V, -4 V
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 300 V, 1.2 W, 100 mA, 40 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 20 MHz, 1.35 W, 300 mA, 50 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 25 V, 160 MHz, 2 W, 3 A, 200 hFE
(EN)
