规格：晶体管封装类型 TO-263,
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 7 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -42 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.7 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -150 V, 0.12 ohm, -10 V, -5 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 8.1A, SMD-220
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET 晶体管
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 6.8 A, -100 V, 480 mohm, -10 V, -4 V
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 6.8A, D2-PAK
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 14A D2-PAK
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, 20W, D2-PAK
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 19A, D2-PAK
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 75 V, 0.0021 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 210A
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, D2-PAK
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 3.9 mohm, 20 V, 4 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 140A D2-PAK
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.0345 ohm, 10 V, 5 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 24 A, 200 V, 63.7 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 40 V, 0.00055 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0014OHM, 195A,
(EN)
