规格：晶体管封装类型 TO-263,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 900 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 200 V, 0.0103 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, D2-PAK
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 128 A, 150 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 6.2A D2-PAK
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 V
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.00436 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 95 A, 200 V, 0.0127 ohm, 10 V, 3 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 2 W, 10 A, 40 hFE
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 362 A, 40 V, 0.0007 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 0.01 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
