规格：晶体管封装类型 TO-252,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 150 V, 0.18 ohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 5A, D-PAKS
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 42A, D-PAK
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 4 V
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 59A, D-PAK
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 87 A, 40 V, 0.0078 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 33A, D-PAK
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 55V 42A D-PAK
(EN)INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 31A, D-PAK, 整卷
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.003 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 200 V, 380 mohm, 10 V, 5.5 V
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 89A, D-PAK
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 20 V, 15 mohm, 10 V, 2.1 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 2 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 8.4 mohm, 10 V, 1.9 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 1.75 W, -8 A, 100 hFE
(EN)
