规格：晶体管封装类型 SOT-23,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -30 V, 110 mohm, 10 V, -1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.2 A, 20 V, 120 mohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 100 mohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 4 A, 20 V, 60 mohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 150 mohm, -4.5 V, 700 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 4.6 A, 30 V, 47 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -700 mA, -100 V, 1 ohm, -10 V, -4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, P沟道, 1.6 A, -30 V, 210 mohm, 10 V, -1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 70 mohm, 10 V, -800 mV
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.1 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, -3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -60 V, 125 mohm, -10 V, -3 V
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 115 MHz, 1.1 W, 4 A, 450 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 55 MHz, 1.1 W, 4 A, 500 hFE
(EN)DIODES INC.
双极晶体管阵列, 通用, 双路, NPN, PNP, 30 V, 1.1 W, 1.5 A, 300 hFE, SOT-23
(EN)DIODES INC.
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 60 V, 1.1 W, 1 A, 100 hFE, SOT-23
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 40 MHz, 1.5 W, 500 mA, 180 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 150 MHz, 1.5 W, 4.5 A, 350 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 150 MHz, 1.5 W, 4.5 A, 350 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 125 MHz, 1.2 W, 5 A, 350 hFE
(EN)
