规格：晶体管封装类型 TO-247AC,
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 47A, TO247AC-3
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-247AC-3
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 200 V, 0.055 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 73A, TO-247AC-3
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 1 kV, 5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 400 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 290 A, 100 V, 2 mohm, 20 V, 4 V
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.4 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 0.125 ohm, 10 V, 3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 45 A, 2.77 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 20 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 A, 75 V, 0.00146 ohm, 20 V, 4 V
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-247AC-3
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.036 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 41A
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 85 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 140 A, 1.2 kV, 556 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
